RQ1E070RPTR

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Numéro d'article
RQ1E070RPTR
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET MID PWR MOSFET SER

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
7 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TSMT-8
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Qg - Gate Charge
50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
12 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

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