RQ1E075XNTCR

Les images sont fournies à titre indicatif
Numéro d'article
RQ1E075XNTCR
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET 4V N-CHANNEL DRIVE

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TSMT-8
Packaging
Cut Tape, Reel
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Qg - Gate Charge
6.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
17 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

Dernières critiques

Yes, they are all here. :)

Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

The goods are OK, thank you dealers.

Order is very quickly, before Moscow flew for 12 days! Many thanks to the seller!

Tu pourrais aussi aimer

Les gens regardent RQ1E075XNTCR alors acheté

Mots-clés associés pour RQ1E

  • RQ1E075XNTCR Intégré
  • RQ1E075XNTCR RoHS
  • RQ1E075XNTCR Fiche technique PDF
  • RQ1E075XNTCR Fiche technique
  • RQ1E075XNTCR Partie
  • RQ1E075XNTCR Acheter
  • RQ1E075XNTCR Distributeur
  • RQ1E075XNTCR PDF
  • RQ1E075XNTCR Composant
  • RQ1E075XNTCR CI
  • RQ1E075XNTCR Télécharger le fichier PDF
  • RQ1E075XNTCR Télécharger la fiche technique
  • RQ1E075XNTCR La fourniture
  • RQ1E075XNTCR Fournisseur
  • RQ1E075XNTCR Prix
  • RQ1E075XNTCR Fiche technique
  • RQ1E075XNTCR Image
  • RQ1E075XNTCR Image
  • RQ1E075XNTCR Inventaire
  • RQ1E075XNTCR Stock
  • RQ1E075XNTCR Original
  • RQ1E075XNTCR Le moins cher
  • RQ1E075XNTCR Excellent
  • RQ1E075XNTCR Sans plomb
  • RQ1E075XNTCR spécification
  • RQ1E075XNTCR Offres chaudes
  • RQ1E075XNTCR Prix de rupture
  • RQ1E075XNTCR données techniques