RQ1E050RPTR

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Numéro d'article
RQ1E050RPTR
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
5 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TSMT-8
Packaging
Cut Tape, Reel
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Qg - Gate Charge
120 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
31 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V

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