R8002ANJFRGTL

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Numéro d'article
R8002ANJFRGTL
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
2 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-263-3
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
62 W
Qg - Gate Charge
13 nC
Qualification
AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance
4.3 Ohms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

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