RQ3P300BHTB1

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Numéro d'article
RQ3P300BHTB1
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET Nch 100V 39A, HSMT8, Power MOSFET. RQ3P300BH is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
39 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
32 W
Qg - Gate Charge
18 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
15.5 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V

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