RQ3L070ATTB

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Numéro d'article
RQ3L070ATTB
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET. RQ3L070AT is a power MOSFET, suitable for load switching applications.

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
25 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, Reel
Pd - Power Dissipation
20 W
Qg - Gate Charge
48 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
28 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

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