RQ3E150BNTB

Les images sont fournies à titre indicatif
Numéro d'article
RQ3E150BNTB
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
22 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
18 W
Qg - Gate Charge
45 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
3.8 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

Dernières critiques

Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Everything is fine!

all is well. checked work. seller recommend.

Tu pourrais aussi aimer

Les gens regardent RQ3E150BNTB alors acheté

Mots-clés associés pour RQ3E

  • RQ3E150BNTB Intégré
  • RQ3E150BNTB RoHS
  • RQ3E150BNTB Fiche technique PDF
  • RQ3E150BNTB Fiche technique
  • RQ3E150BNTB Partie
  • RQ3E150BNTB Acheter
  • RQ3E150BNTB Distributeur
  • RQ3E150BNTB PDF
  • RQ3E150BNTB Composant
  • RQ3E150BNTB CI
  • RQ3E150BNTB Télécharger le fichier PDF
  • RQ3E150BNTB Télécharger la fiche technique
  • RQ3E150BNTB La fourniture
  • RQ3E150BNTB Fournisseur
  • RQ3E150BNTB Prix
  • RQ3E150BNTB Fiche technique
  • RQ3E150BNTB Image
  • RQ3E150BNTB Image
  • RQ3E150BNTB Inventaire
  • RQ3E150BNTB Stock
  • RQ3E150BNTB Original
  • RQ3E150BNTB Le moins cher
  • RQ3E150BNTB Excellent
  • RQ3E150BNTB Sans plomb
  • RQ3E150BNTB spécification
  • RQ3E150BNTB Offres chaudes
  • RQ3E150BNTB Prix de rupture
  • RQ3E150BNTB données techniques