RQ3E180GNTB

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Numéro d'article
RQ3E180GNTB
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
18 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
2 W
Qg - Gate Charge
22.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
4.3 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

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