RQ3E160ADTB

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Numéro d'article
RQ3E160ADTB
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET Nch 30V 16A Middle Power MOSFET

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
16 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
2 W
Qg - Gate Charge
51 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
3.5 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

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