RQ3E150GNTB

Les images sont fournies à titre indicatif
Numéro d'article
RQ3E150GNTB
Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Caractéristiques

Fabricant
ROHM Semiconductor
Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
15 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
2 W
Qg - Gate Charge
15.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
6.1 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

Dernières critiques

all exactly and work. радиолюбителя useful set to, thank you)

Works. Find the price of this product is very good

fast delivery

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

Long Service and Russia!

Tu pourrais aussi aimer

Les gens regardent RQ3E150GNTB alors acheté

Mots-clés associés pour RQ3E

  • RQ3E150GNTB Intégré
  • RQ3E150GNTB RoHS
  • RQ3E150GNTB Fiche technique PDF
  • RQ3E150GNTB Fiche technique
  • RQ3E150GNTB Partie
  • RQ3E150GNTB Acheter
  • RQ3E150GNTB Distributeur
  • RQ3E150GNTB PDF
  • RQ3E150GNTB Composant
  • RQ3E150GNTB CI
  • RQ3E150GNTB Télécharger le fichier PDF
  • RQ3E150GNTB Télécharger la fiche technique
  • RQ3E150GNTB La fourniture
  • RQ3E150GNTB Fournisseur
  • RQ3E150GNTB Prix
  • RQ3E150GNTB Fiche technique
  • RQ3E150GNTB Image
  • RQ3E150GNTB Image
  • RQ3E150GNTB Inventaire
  • RQ3E150GNTB Stock
  • RQ3E150GNTB Original
  • RQ3E150GNTB Le moins cher
  • RQ3E150GNTB Excellent
  • RQ3E150GNTB Sans plomb
  • RQ3E150GNTB spécification
  • RQ3E150GNTB Offres chaudes
  • RQ3E150GNTB Prix de rupture
  • RQ3E150GNTB données techniques