- Numéro d'article
- SI8821EDB-T2-E1
- Fabricant
- Vishay Semiconductors
- Les catégories
- MOSFET
- RoHS
- Fiche technique
- La description
- MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
SI8821EDB-T2-E1
Les images sont fournies à titre indicatif
Caractéristiques
- Fabricant
- Vishay Semiconductors
- Les catégories
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 2.3 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- MicroFoot-4
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 900 MW
- Qg - Gate Charge
- 17 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 105 mOhms
- Technology
- SI
- Tradename
- TrenchFET
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 12 V, + 12 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 1.3 V
Catégorie de produits
Circuit Protection
162,445 Des produits
Connectors
2,428,639 Des produits
Electromechanical
556,105 Des produits
Embedded Solutions
41,129 Des produits
Enclosures
20,894 Des produits
Engineering Development Tools
42,996 Des produits
Industrial Automation
558,346 Des produits
LED Lighting
77,795 Des produits
Optoelectronics
109,177 Des produits
Passive Components
2,996,719 Des produits
Power
323,117 Des produits
Semiconductors
567,247 Des produits
Sensors
70,154 Des produits
Test & Measurement
23,394 Des produits
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