- Numéro d'article
- HN1B01FU-GR,LXHF
- Fabricant
- Toshiba
- Les catégories
- Bipolar Transistors - BJT
- RoHS
- Fiche technique
- La description
- Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
HN1B01FU-GR,LXHF
Les images sont fournies à titre indicatif
Caractéristiques
- Fabricant
- Toshiba
- Les catégories
- Bipolar Transistors - BJT
- Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.1 V
- Configuration
- Dual
- Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
- Gain Bandwidth Product fT
- 120 MHz, 150 MHz
- Maximum Operating Temperature
- + 125 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- US-6
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 200 mW
- Qualification
- AEC-Q200
- Transistor Polarity
- NPN, PNP
Catégorie de produits
Circuit Protection
162,445 Des produits
Connectors
2,428,639 Des produits
Electromechanical
556,105 Des produits
Embedded Solutions
41,129 Des produits
Enclosures
20,894 Des produits
Engineering Development Tools
42,996 Des produits
Industrial Automation
558,346 Des produits
LED Lighting
77,795 Des produits
Optoelectronics
109,177 Des produits
Passive Components
2,996,719 Des produits
Power
323,117 Des produits
Semiconductors
567,247 Des produits
Sensors
70,154 Des produits
Test & Measurement
23,394 Des produits
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