- Numéro d'article
- MTD8600T4-T
- Fabricant
- Marktech Optoelectronics
- Les catégories
- Phototransistors
- RoHS
- Fiche technique
- La description
- Phototransistors Photo Diode 880nm
MTD8600T4-T
Les images sont fournies à titre indicatif
Caractéristiques
- Fabricant
- Marktech Optoelectronics
- Les catégories
- Phototransistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage
- 30 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
- Dark Current
- 100 nA
- Fall Time
- 10 us
- Maximum On-State Collector Current
- 50 mA
- Maximum Operating Temperature
- + 100 C
- Minimum Operating Temperature
- - 30 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-18-2
- Pd - Power Dissipation
- 250 mW
- Peak Wavelength
- 880 nm
- Product
- Phototransistors
- Rise Time
- 10 us
Catégorie de produits
Circuit Protection
162,445 Des produits
Connectors
2,428,639 Des produits
Electromechanical
556,105 Des produits
Embedded Solutions
41,129 Des produits
Enclosures
20,894 Des produits
Engineering Development Tools
42,996 Des produits
Industrial Automation
558,346 Des produits
LED Lighting
77,795 Des produits
Optoelectronics
109,177 Des produits
Passive Components
2,996,719 Des produits
Power
323,117 Des produits
Semiconductors
567,247 Des produits
Sensors
70,154 Des produits
Test & Measurement
23,394 Des produits
Dernières critiques
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